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产品详情

晶圆切割液BCF‑02
半导体晶圆多线切割水基切割液 · 产品简介

产品特性

特性描述
本产品是一款专为半导体晶圆多线切割工艺开发的水基切割液,以多种高性能表面活性剂科学复配而成,集润滑、润湿、分散、冷却与清洗功能于一体。产品通过显著降低切割区摩擦阻力、快速润湿硅棒表面并稳定分散切割产生的硅粉颗粒,有效抑制线锯磨损与硅片表面缺陷,优良的冷却散热性能减少热应力失衡,从而全面提升切割后晶圆的几何精度与表面质量,具有抗翘曲,断线率、TTV及崩边率低的特点,产品环保低泡、易清洗,是光伏及半导体晶圆制造环节的关键工艺耗材。
产品用途:本品适用于金刚线半导体晶圆切割工艺。
优异的抗翘曲性能:优化的渗透性,确保介质能快速、均匀地深入切缝内部,有效抑制局部温度梯度与热应力积聚;稳定的边界润滑膜大幅降低切割阻力波动,减少线弓变形,抑制切后的应力释放翘曲,保障晶圆平整度;快速分散硅粉和脱落金刚石微粉,避免切削产生的局部损伤的应力集中点,抑制切后翘曲形变。
极低的断线率:产品具备卓越的极压抗磨与散热性能,显著降低金刚石线与硅棒高速摩擦产生的热积累与机械磨损,避免线锯因过热熔断或磨粒钝化导致的异常断裂,提升产线连续作业稳定性与良率。
卓越的 TTV控制:凭借优异的硅粉悬浮分散能力与低泡特性,确保切缝内微粉不沉降、不团聚,杜绝二次切削与磨粒划伤;配合均匀一致的冷却润滑效果,保障整片晶圆厚度高度一致,满足先进制程对 TTV 的严苛要求。
极低的崩边率:精细调控的表面活性剂体系在硅片表面形成保护性液膜,有效缓冲切割末端的机械冲击,减少微裂纹扩展;同时,快速带走切削热,避免热应力集中导致的边缘崩缺,显著提升晶圆边缘完整性与后续工序通过率。

基础指标

项目 指标
外观 无色透明液体
密度(g/cm³,25℃) 1.00‑1.10
pH值(25℃) 6‑8
电导率(1/600 aq,μS/cm) ≤20
静态表面张力(mN/m,25℃) 21‑33
化学需氧量COD(mg/L) 50‑150万

使用说明

操作说明
使用浓度:单刀按3‑7L加250‑450升水使用。

注意事项

事项说明
本品无毒无腐蚀性,避免与皮肤长时间接触。如不慎溅入眼睛,立即用清水冲洗15分钟,若不适请就医。远离儿童,如不慎误饮,请大量饮水并及时就医。操作环境应通风良好,远离火源、氧化剂。本品在极端高温或低温长时间储存后,可能会产生分层,搅拌均匀后不影响使用效果。

储存与包装

项目 说明
储存条件 储存于阴凉干燥处,避免阳光直射
保质期 未开封产品保质期自生产之日起一年
包装规格 25Kg、200Kg和1000Kg包装或按客户要求

售后与服务

服务说明
产品使用期间,供方技术人员会协助产品的使用与工艺的设定及调整,必要时会派专业技术人员进行现场指导;在产品有效期内,如接到使用方技术服务请求后8小时内,将通过电话、传真、E‑mail提供解决方案或派专人现场解决。
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